Rasterelektronenmikroskop (REM)
Das Rasterelektronenmikroskop dient zur Abbildung und Analyse der Oberflächen von Proben. Bei der Untersuchung von Bruch- oder Schnittflächen und metallographisch aufbereiteten Probenoberflächen können abhängig von der gewählten Probenorientierung nicht nur Oberflächeninformationen, sondern auch Informationen über den inneren Aufbau der Probe gewonnen werden. Das Rasterelektronenmikroskop ermöglicht eine höhere Ortsauflösung als ein Lichtmikroskop.
Die Rasterelektronenmikroskopie (REM) ist heute eine der grundlegenden Charakterisierungsmethoden in den Material- und Werkstoffwissenschaften. Durch die installierten Detektoren werden qualitative und quantitative Informationen zur Topologie sowie Phaseninventar, Phasenanteilen und Orientierungen gewonnen. Auch die Abbildung von Bruchflächen zur Analyse und in-situ Beobachtungen unter mechanischer Belastung gehören zum Repertoire der Rasterelektronenmikroskopie.
Die energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDX) erlaubt die qualitative und quantitative chemische Analyse, während die Rückstreuelektronenbeugung (EBSD) als Verfahren zur Orientierungsbestimmung auf mikroskopischer Skala Texturinformationen liefert.
Ausstattung:
- Zeiss Ultra 55, Feldemissionskathode , Auflösungsvermögen bei 15 kV 1 nm.
- Sekundärelektronen- und Rückstreuelektronendetektoren (SE und BSE Detektoren), jeweils in Kammer- und „in-lens“-Ausführung
- Oxford AZtec EDX- System mit Strahlsteuerung zur automatisierten Messung (Linienscan, Mapping).
- Oxford Channel5 / Nordlys II EBSD-System.
- In-situ Modul für Zug- und Druckversuche von Kammrath & Weiss
- MBX Biegemodul 500N von Kammrath & Weiss